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NTD4959NT4G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 9A TP-FA

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package DPAK
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 11.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta), 58A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1456pF @ 12V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTD4904N ON CIs Calientes Especializados 23079
NTD4904N MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 23387
NTD4904N-1G O CIs Calientes Especializados 3283
NTD4904N-35G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2274
NTD4904N-35G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTD4904N-35G MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 525
NTD4904NT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1013
NTD4904NT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTD4904NT4G MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 15726
NTD4905 ON CIs Calientes Especializados 1241

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