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NTD2955G Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package DPAK
Power Dissipation (Max) 55W (Tj)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTD2955 ON CIs Calientes Especializados 1359
NTD2955 MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 15738
NTD2955-001 VB CIs Calientes Especializados 5000
NTD2955-001 Rochester Electronics, LLC Transistores MOSFET RF
NTD2955-1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 50000
NTD2955-1 MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 4289
NTD2955-1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10320
NTD2955-1G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTD2955D O CIs Calientes Especializados 10000
NTD2955E O CIs Calientes Especializados 10000

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