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NTBV5605T4G
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NTBV5605T4G Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Supplier Device Package | D2PAK |
Power Dissipation (Max) | 88W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.5A (Ta) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 8.5A, 5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
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Hojas de datos
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTBV5605T4G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales |
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