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NTB65N02RG
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NTB65N02RG Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Supplier Device Package | D2PAK |
Power Dissipation (Max) | 1.04W (Ta), 62.5W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 30A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1330pF @ 20V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
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Las siguientes partes incluyen 'NTB65'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTB65N02R | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2798 |
NTB65N02RT4 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 670 |
NTB65N02RT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2432 |
NTB65N02RT4G MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1696 |
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