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NTB5405NG Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 150W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 116A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8 mOhm @ 40A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4000pF @ 32V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
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Otros incluyen   "NTB54"   partes

Las siguientes partes incluyen  'NTB54' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTB5404N AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 91056
NTB5404NT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 95917
NTB5404NT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTB5404NT4G MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 621
NTB5405N ON CIs Calientes Especializados 21452
NTB5405NG MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 1360
NTB5405NT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 416
NTB5405NT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTB5405NT4G MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 862
NTB5411N ON CIs Calientes Especializados 22738

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