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NTB25P06T4G
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NTB25P06T4G Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82 mOhm @ 25A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1680pF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27.5A (Ta) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±15V |
Supplier Device Package | D2PAK |
Power Dissipation (Max) | 120W (Tj) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "NTB25" partes
Las siguientes partes incluyen 'NTB25'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTB25P06 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 31740 |
NTB25P06G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 57373 |
NTB25P06T4 | ONS | CIs Calientes Especializados | 800 |
NTB25P06T4G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NTB25P06T4G MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 1459 |
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