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NTB125N02RT4G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 1.98W (Ta), 113.6W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 95A (Ta), 120.5A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3440pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 24V
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Otros incluyen   "NTB12"   partes

Las siguientes partes incluyen  'NTB12' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTB125N02R AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2773
NTB125N02RG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 415
NTB125N02RT4 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
NTB125N2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 308

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