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NSVT65011MW6T1G Especificaciones técnicas

TRANS 2NPN 65V 0.1A SC88-6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Power - Max 380mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Supplier Device Package SC-88 (SOT-363)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NSVT65010MW6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2775
NSVT65010MW6T1G ON Semiconductor Matrices BJT Transistores
NSVT65011MW6T1G ON Semiconductor Matrices BJT Transistores

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