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NSVMSD42WT1G
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NSVMSD42WT1G Especificaciones técnicas
TRANS NPN 300V 0.15A SC70
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 450mW |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 30mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |
Supplier Device Package | SC-70-3 (SOT323) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'NSVMS'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NSVMSA1162GT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2658 |
NSVMSA1162GT1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NSVMSB1218A-RT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2567 |
NSVMSB1218A-RT1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NSVMSB92T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2768 |
NSVMSB92T1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NSVMSD42WT1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NSVMSD601-RT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2602 |
NSVMSD601-RT1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales |
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