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NSVMMUN2132LT1G
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NSVMMUN2132LT1G Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 4.7k |
Power - Max | 246mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 4.7k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'NSVMM'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NSVMMBD352WT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Matrices | 2717 |
NSVMMBD352WT1G | ON Semiconductor | Matriz de Diodos Rectificadores | |
NSVMMBD353LT1 | ON | CIs Calientes Especializados | 3287 |
NSVMMBD353LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Matrices | 2620 |
NSVMMBD353LT1G | ON Semiconductor | Matriz de Diodos Rectificadores | |
NSVMMBD354LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodos - RF | 2588 |
NSVMMBD354LT1G | ON Semiconductor | Diodos RF | |
NSVMMBD717LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Matrices | 2773 |
NSVMMBD717LT1G | ON Semiconductor | Matriz de Diodos Rectificadores | |
NSVMMBT2222AM3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2683 |
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