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NSVDTC143ZET1G Especificaciones técnicas

TRANS NPN 50V BIPOLAR SC75-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 200mW
Package / Case SC-75, SOT-416
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package SC-75, SOT-416
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Las siguientes partes incluyen  'NSVDT' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NSVDTA113EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2770
NSVDTA113EM3T5G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSVDTA114EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2515
NSVDTA114EET1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSVDTA114EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2747
NSVDTA114EM3T5G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSVDTA114YM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2600
NSVDTA114YM3T5G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSVDTA115EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 30215
NSVDTA115EET1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados

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