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NSV12100UW3TCG Especificaciones técnicas

TRANS PNP 12V 1A WDFN3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Transistor Type PNP
Power - Max 740mW
Package / Case 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 440mV @ 100mA, 1A
Supplier Device Package 3-WDFN (2x2)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NSV12100UW3TCG ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NSV12100XV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 4218
NSV12100XV6T1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NSV12200LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 12877
NSV12200LT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NSV12201LT1G ON CIs Calientes Especializados 12880

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