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NST847BPDP6T5G Especificaciones técnicas

TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT963

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Transistor Type NPN, PNP
Power - Max 350mW
Package / Case SOT-963
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA / 700mV @ 5mA, 100mA
Supplier Device Package SOT-963
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NST846BF3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2593
NST846BF3T5G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NST847BDP6T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 6500
NST847BDP6T5G ON Semiconductor Matrices BJT Transistores
NST847BF3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 6477
NST847BF3T5G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NST847BPDP6T5G ON Semiconductor Matrices BJT Transistores
NST848BF3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2601
NST848BF3T5G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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