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NSS60201LT1G Especificaciones técnicas

TRANS NPN 60V 2A SOT-23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type NPN
Power - Max 460mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 1A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 140mV @ 200mA, 2A
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NSS60100DMTTBG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 1408
NSS60100DMTTBG ON Semiconductor Matrices BJT Transistores
NSS60101DMTTBG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2796
NSS60101DMTTBG ON Semiconductor Matrices BJT Transistores
NSS60200DMTTBG ON Semiconductor Matrices BJT Transistores
NSS60200LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 23016
NSS60200LT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NSS60201LT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NSS60600MZ4T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 5468
NSS60600MZ4T1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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