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NSS40301MDR2G Especificaciones técnicas

TRANS 2NPN 40V 3A 8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Power - Max 653mW
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 1A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 115mV @ 200mA, 2A
Supplier Device Package 8-SOIC
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NSS40200LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 140188
NSS40200LT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NSS40200LT1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 3437
NSS40200UW6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 14533
NSS40200UW6T1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NSS40201L1TG ON CIs Calientes Especializados 2731
NSS40201LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 9389
NSS40201LT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NSS40201LT1G @@@@ 98K CIs Calientes Especializados 15200
NSS4020LT1G ON CIs Calientes Especializados 2767

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