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NSS1C300ET4G
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NSS1C300ET4G Especificaciones técnicas
TRANS PNP 100V 3A 3DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 2.1W |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1A, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 300mA, 3A |
Supplier Device Package | DPAK |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 100MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'NSS1C'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NSS1C200LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 167438 |
NSS1C200LT1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NSS1C200LT1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 35338 |
NSS1C200MZ4T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 7452 |
NSS1C200MZ4T1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NSS1C200MZ4T1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 3445 |
NSS1C200MZ4T3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 13092 |
NSS1C200MZ4T3G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NSS1C200MZT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 12974 |
NSS1C201LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 5370 |
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