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NSCT3906LT3G Especificaciones técnicas

TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type PNP
Power - Max 225mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) -
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Las siguientes partes incluyen  'NSCT3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NSCT3904LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 12482
NSCT3904LT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2736
NSCT3904LT3G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NSCT3906LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3000
NSCT3906LT1G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
NSCT3906LT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NSCT3906LT3G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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