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NSBC123TDP6T5G Especificaciones técnicas

TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 339mW
Package / Case SOT-963
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package SOT-963
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Las siguientes partes incluyen  'NSBC1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NSBC113EDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2623
NSBC113EDXV6T1 ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
NSBC113EDXV6T1 Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores BJT
NSBC113EDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2611
NSBC113EDXV6T1G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
NSBC113EDXV6T5 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2510
NSBC113EDXV6T5 ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
NSBC113EF3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2570
NSBC113EF3T5G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSBC113EPDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2569

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