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NJX1675PDR2G Especificaciones técnicas

TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type NPN, PNP
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 1A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A
Supplier Device Package 8-SOIC
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz, 120MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NJX1675PDR2G ON Semiconductor Matrices BJT Transistores
NJX1675PDR2G Rochester Electronics, LLC Matrices BJT Transistores

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NJX1675PDR2G fabricantes de marca: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip existencias, NJX1675PDR2G precio de referencia. NJX1675PDR2G parámetros, NJX1675PDR2G Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el NJX1675PDR2G Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar NJX1675PDR2G diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, NJX1675PDR2G tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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