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NJVMJD243T4G Especificaciones técnicas

TRANS NPN 100V 4A DPAK-4

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type NPN
Power - Max 1.4W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 100mA, 1A
Supplier Device Package DPAK-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 40MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NJVMJB41CT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2564
NJVMJB41CT4G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NJVMJB42CT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2799
NJVMJB42CT4G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NJVMJB44H11T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2746
NJVMJB44H11T4G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NJVMJB45H11T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 630
NJVMJB45H11T4G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NJVMJD112G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2791
NJVMJD112G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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