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NJVMJD122T4G-VF01
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NJVMJD122T4G-VF01 Especificaciones técnicas
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 1.75W |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 8A, 80mA |
Supplier Device Package | DPAK-3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NJVMJB41CT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2564 |
NJVMJB41CT4G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NJVMJB42CT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2799 |
NJVMJB42CT4G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NJVMJB44H11T4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2746 |
NJVMJB44H11T4G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NJVMJB45H11T4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 630 |
NJVMJB45H11T4G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NJVMJD112G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2791 |
NJVMJD112G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales |
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