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NHPM120T3G
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NHPM120T3G Especificaciones técnicas
DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Supplier Device Package | Powermite |
Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
Package / Case | DO-216AA |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 500nA @ 200V |
Capacitance @ Vr, F | - |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 1A |
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Hojas de datos
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NHPM120T3G | ON Semiconductor | Rectificador de Diodo Monofásico |
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