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NHP620MFDT3G
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NHP620MFDT3G Especificaciones técnicas
DIODE GEN PURP 200V 3A SO-8FL
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Matrices |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Supplier Device Package | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
Diode Type | Standard |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 500nA @ 200V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Diode Configuration | 2 Independent |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 3A |
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Hojas de datos
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NHP620MFDT3G | ON Semiconductor | Matriz de Diodos Rectificadores |
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