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NGTD30T120F2WP Especificaciones técnicas

IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition -
Switching Energy -
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 21 Weeks
Input Type Standard
Detailed Description IGBT Trench Field Stop 1200V Surface Mount Die
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
Td (on/off) @ 25°C -
Supplier Device Package Die
Package / Case Die
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NGTD30T120F2SWK AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2639
NGTD30T120F2SWK ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTD30T120F2WP ON Semiconductor IGBTs individuales

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NGTD30T120F2WP fabricantes de marca: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip existencias, NGTD30T120F2WP precio de referencia. NGTD30T120F2WP parámetros, NGTD30T120F2WP Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el NGTD30T120F2WP Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar NGTD30T120F2WP diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, NGTD30T120F2WP tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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