NGTB75N65FL2WAG Especificaciones técnicas

IGBT FIELD STOP 650V TO247-4

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 75A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 610µJ (on), 1.2mJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 90ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 310nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 75A
Td (on/off) @ 25°C 23ns/157ns
Supplier Device Package TO-247-4L
Power - Max 536W
Package / Case TO-247-4
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type Field Stop
Detailed Description IGBT Field Stop 650V 200A 536W Through Hole TO-247-4L
Current - Collector (Ic) (Max) 200A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NGTB75N60FL2WG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2693
NGTB75N60FL2WG ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB75N60FL2WG Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
NGTB75N60FL2WG IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 531
NGTB75N60L2WG 75N60FL2 IR CIs Calientes Especializados 705
NGTB75N60SWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2579
NGTB75N60SWG ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB75N60SWG Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
NGTB75N65FL2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 443
NGTB75N65FL2W AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 301

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