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NGTB25N120FLWG Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 25A TO247-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 600V, 25A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 1.5mJ (on), 950µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 240ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 220nC
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 25A
Td (on/off) @ 25°C 91ns/228ns
Supplier Device Package TO-247
Power - Max 192W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
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Otros incluyen   "NGTB2"   partes

Las siguientes partes incluyen  'NGTB2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NGTB20N120IH AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 10
NGTB20N120IHL AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 317
NGTB20N120IHLWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2799
NGTB20N120IHLWG ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB20N120IHLWG Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
NGTB20N120IHRWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2167
NGTB20N120IHRWG ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB20N120IHSWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2577
NGTB20N120IHSWG ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB20N120IHTG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2549

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