NGTB25N120FL2WAG Especificaciones técnicas

IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 600V, 50A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 990µJ (on), 660µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 136ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 181nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 100A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 25A
Td (on/off) @ 25°C 17ns/113ns
Supplier Device Package TO-247-4L
Power - Max 385W
Package / Case TO-247-4
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type Field Stop
Detailed Description IGBT Field Stop 1200V 100A 385W Through Hole TO-247-4L
Current - Collector (Ic) (Max) 100A
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Las siguientes partes incluyen  'NGTB2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NGTB20N120IH AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 10
NGTB20N120IHL AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 317
NGTB20N120IHLWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2799
NGTB20N120IHLWG ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB20N120IHLWG Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
NGTB20N120IHRWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2167
NGTB20N120IHRWG ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB20N120IHSWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2577
NGTB20N120IHSWG ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB20N120IHTG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2549

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