NGTB10N60R2DT4G Especificaciones técnicas

IGBT 10A 600V DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 300V, 10A, 30 Ohm, 15V
Switching Energy 412µJ (on), 140µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 90ns
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 53nC
Current - Collector (Ic) (Max) 20A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 10A
Td (on/off) @ 25°C 48ns/120ns
Supplier Device Package DPAK
Power - Max 72W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 40A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NGTB10N60FG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 38000
NGTB10N60FG ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB10N60R2DT4G ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB10N60R2DT4G IGBT AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 925
NGTB15N120FL2 FSC/ON CIs Calientes Especializados 38000
NGTB15N120FL2WG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 51987
NGTB15N120FL2WG ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB15N120FLWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 493
NGTB15N120FLWG ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB15N120IH FSC/ON CIs Calientes Especializados 38000

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