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NGTB10N60R2DT4G
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NGTB10N60R2DT4G Especificaciones técnicas
IGBT 10A 600V DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Test Condition | 300V, 10A, 30 Ohm, 15V |
Switching Energy | 412µJ (on), 140µJ (off) |
Reverse Recovery Time (trr) | 90ns |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 175°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 53nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 20A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 10A |
Td (on/off) @ 25°C | 48ns/120ns |
Supplier Device Package | DPAK |
Power - Max | 72W |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
IGBT Type | - |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 40A |
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Las siguientes partes incluyen 'NGTB1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NGTB10N60FG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 38000 |
NGTB10N60FG | ON Semiconductor | IGBTs individuales | |
NGTB10N60R2DT4G | ON Semiconductor | IGBTs individuales | |
NGTB10N60R2DT4G IGBT | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 925 |
NGTB15N120FL2 | FSC/ON | CIs Calientes Especializados | 38000 |
NGTB15N120FL2WG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 51987 |
NGTB15N120FL2WG | ON Semiconductor | IGBTs individuales | |
NGTB15N120FLWG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 493 |
NGTB15N120FLWG | ON Semiconductor | IGBTs individuales | |
NGTB15N120IH | FSC/ON | CIs Calientes Especializados | 38000 |
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