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NDF10N60ZG Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1645pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220FP
Power Dissipation (Max) 39W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NDF10N60ZG ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NDF10N60ZG-001 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2565
NDF10N60ZH AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10501
NDF10N60ZH ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NDF10N60ZH MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5372
NDF10N62Z VB CIs Calientes Especializados 5000
NDF10N62ZG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 630
NDF10N62ZG ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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