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MVB50P03HDLT4G
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MVB50P03HDLT4G Especificaciones técnicas
INTEGRATED CIRCUIT
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±15V |
Supplier Device Package | D2PAK-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 25A, 5V |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4.9nF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Detailed Description | P-Channel 30V 50A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK-3 |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
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