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MUN5212T1G
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MUN5212T1G Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 2.2k |
Power - Max | 202mW |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Supplier Device Package | SC-70-3 (SOT323) |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 22k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
MUN5212T1G Documentos
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Hojas de datos
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Otros incluyen "MUN52" partes
Las siguientes partes incluyen 'MUN52'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MUN5211 | ZXDZ | CIs Calientes Especializados | 15500 |
MUN5211DW1T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 1164 |
MUN5211DW1T1 | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
MUN5211DW1T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2411 |
MUN5211DW1T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
MUN5211T1 | ON | CIs Calientes Especializados | 10800 |
MUN5211T1 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT Pre-Biasados | |
MUN5211T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 115900 |
MUN5211T1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
MUN5211T1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 9207 |
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