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MUN5114T1G Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 202mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SC-70-3 (SOT323)
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Otros incluyen   "MUN51"   partes

Las siguientes partes incluyen  'MUN51' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MUN5111DW1T1 ON CIs Calientes Especializados 4000
MUN5111DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 139500
MUN5111DW1T1G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
MUN5111DWT1G ON CIs Calientes Especializados 2575
MUN5111LT1G ON CIs Calientes Especializados 3000
MUN5111T1 ON CIs Calientes Especializados 2478
MUN5111T1 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Pre-Biasados
MUN5111T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 9700
MUN5111T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
MUN5111T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 521

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