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MUN5112DW1T1G Especificaciones técnicas

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 22k
Power - Max 250mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MUN5111DW1T1 ON CIs Calientes Especializados 4000
MUN5111DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 139500
MUN5111DW1T1G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
MUN5111DWT1G ON CIs Calientes Especializados 2575
MUN5111LT1G ON CIs Calientes Especializados 3000
MUN5111T1 ON CIs Calientes Especializados 2478
MUN5111T1 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Pre-Biasados
MUN5111T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 9700
MUN5111T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
MUN5111T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 521

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