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MUN2230T1G
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MUN2230T1G Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 1k |
Power - Max | 338mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Supplier Device Package | SC-59 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 1k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
MUN2230T1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para MUN2230T1G
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Hojas de datos
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Otros incluyen "MUN22" partes
Las siguientes partes incluyen 'MUN22'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MUN2211 | LRC | CIs Calientes Especializados | 3300 |
MUN2211JT1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2791 |
MUN2211JT1 | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
MUN2211JT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 3900 |
MUN2211JT1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
MUN2211JT1G | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT Pre-Biasados | |
MUN2211RLT1 | LRC | CIs Calientes Especializados | 9500 |
MUN2211T1 | ON | CIs Calientes Especializados | 6360 |
MUN2211T1 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT Pre-Biasados | |
MUN2211T1B | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 4524 |
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