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MUN2212T1G Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 22k
Power - Max 338mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SC-59
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MUN2211 LRC CIs Calientes Especializados 3300
MUN2211JT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2791
MUN2211JT1 ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
MUN2211JT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 3900
MUN2211JT1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
MUN2211JT1G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Pre-Biasados
MUN2211RLT1 LRC CIs Calientes Especializados 9500
MUN2211T1 ON CIs Calientes Especializados 6360
MUN2211T1 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Pre-Biasados
MUN2211T1B AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 4524

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