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MUN2111T3G Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 230mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SC-59
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MUN2111 ON CIs Calientes Especializados 3500
MUN2111LT1 ON CIs Calientes Especializados 52000
MUN2111LT1G ON CIs Calientes Especializados 2664
MUN2111T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 780
MUN2111T1 ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
MUN2111T1 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Pre-Biasados
MUN2111T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 50220
MUN2111T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
MUN2111T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 279
MUN2111T3 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2696

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