MTP12P10G Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MTP12N06 ON CIs Calientes Especializados 5000
MTP12N08L O CIs Calientes Especializados 5501
MTP12N10E ON CIs Calientes Especializados 5332
MTP12N18 VB CIs Calientes Especializados 3500
MTP12N20 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5236
MTP12N60 IR CIs Calientes Especializados 2641
MTP12P05 ON CIs Calientes Especializados 415
MTP12P08G ON CIs Calientes Especializados 5100
MTP12P10 ON CIs Calientes Especializados 1389
MTP12P10 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5411

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