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MTP10N10ELG Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 1.75W (Ta), 40W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 5A, 5V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1040pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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Otros incluyen   "MTP10"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MTP10-A1LL5.5 MEMSFRON CIs Calientes Especializados 10383
MTP10-A2F8 MEMSFRON CIs Calientes Especializados 10497
MTP10-B7F55 MEMSFRON CIs Calientes Especializados 10237
MTP10008 NELL CIs Calientes Especializados 1392
MTP1067N3 CYSTEKEC CIs Calientes Especializados 15773
MTP10N05 O CIs Calientes Especializados 10312
MTP10N06 MOT CIs Calientes Especializados 38163
MTP10N06E O CIs Calientes Especializados 32363
MTP10N08 O CIs Calientes Especializados 32363
MTP10N10 O CIs Calientes Especializados 32363

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