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MTD6N15T4
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MTD6N15T4 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Supplier Device Package | DPAK |
Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta), 20W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 3A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "MTD6N" partes
Las siguientes partes incluyen 'MTD6N'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MTD6N10 | M | CIs Calientes Especializados | 11500 |
MTD6N10 MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 11319 |
MTD6N10E | ON | CIs Calientes Especializados | 4900 |
MTD6N10E MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 4666 |
MTD6N10ET4 | VB | CIs Calientes Especializados | 26000 |
MTD6N10RL | MOT | CIs Calientes Especializados | 28277 |
MTD6N10T4 | ON | CIs Calientes Especializados | 2700 |
MTD6N15 | ON | CIs Calientes Especializados | 1427 |
MTD6N15 MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2802 |
MTD6N15T4 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales |
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