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MSD42SWT1G Especificaciones técnicas

TRANS NPN 300V 0.15A SOT323

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V
Transistor Type NPN
Power - Max 150mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 1mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 2mA, 200mA
Supplier Device Package SC-70-3 (SOT323)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MSD42SWT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2756
MSD42SWT1 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MSD42SWT1 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MSD42SWT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MSD42T1 ON CIs Calientes Especializados 36000
MSD42T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2603
MSD42T1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MSD42WT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2748
MSD42WT1 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MSD42WT1 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales

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