MPSA42G Especificaciones técnicas

TRANS NPN 300V 0.5A TO92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V
Transistor Type NPN
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 1mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 2mA, 20mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 50MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MPSA42 Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2229
MPSA42 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2926
MPSA42 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2935
MPSA42 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MPSA42(T) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 1850
MPSA42+126 NXP CIs Calientes Especializados 524
MPSA42,116 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2722
MPSA42,126 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2732
MPSA42,412 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2590
MPSA42-AP Micro Commercial Components (MCC) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2610

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