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MPS6513 Especificaciones técnicas

TRANS NPN 30V 0.2A TO-92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type NPN
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 200mA 625mW Through Hole TO-92-3
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 90 @ 2mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MPS650 Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 10426
MPS650 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Pre-Biasados
MPS650G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1208
MPS650G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MPS650G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MPS650RLRA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2567
MPS650RLRA ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MPS650RLRAG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 17586
MPS650RLRAG ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MPS650RLRAG Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales

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