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MPS2222G Especificaciones técnicas

TRANS NPN 30V 0.6A TO92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type NPN
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
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Las siguientes partes incluyen  'MPS22' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MPS2222 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2299
MPS2222 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MPS2222A Original CIs Calientes Especializados 29427
MPS2222A Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Pre-Biasados
MPS2222A 2N2222A TO-92 CIs Calientes Especializados 9595
MPS2222A IC CJ CIs Calientes Especializados 5636
MPS2222A-H Original CIs Calientes Especializados 7400
MPS2222AG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 385
MPS2222AG ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MPS2222ARL AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2677

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