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MMFT107T1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 0.25A SOT223

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Supplier Device Package SOT-223
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250mA (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 Ohm @ 200mA, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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Otros incluyen   "MMFT1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'MMFT1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MMFT107T1G ON CIs Calientes Especializados 7030
MMFT108T1 ON CIs Calientes Especializados 28238
MMFT108T1G ON CIs Calientes Especializados 11700
MMFT15 Carlo Gavazzi Inc. Sensores Fotoeléctricos
MMFT1N02EL AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 26238
MMFT1N10E ON CIs Calientes Especializados 2646
MMFT1N10ET1 ON CIs Calientes Especializados 84338
MMFT1N10ET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 4238
MMFT1N10ET3 ON CIs Calientes Especializados 5086
MMFT1N10ET3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 55440

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