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MMBT6589T1G Especificaciones técnicas

TRANS PNP 30V 1A TSOP-6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type PNP
Power - Max 540mW
Package / Case SOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 200mA, 2A
Supplier Device Package 6-TSOP
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MMBT624LT1 MOTOROLA CIs Calientes Especializados 6500
MMBT6426LT1G ON CIs Calientes Especializados 3500
MMBT6427 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 56495
MMBT6427 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 56495
MMBT6427 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MMBT6427-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2571
MMBT6427-7-01-F Diodes CIs Calientes Especializados 2411
MMBT6427-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 5338
MMBT6427-NL FSC CIs Calientes Especializados 3290
MMBT6427FSC FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 24000

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