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MMBT4124LT1G Especificaciones técnicas

TRANS NPN 25V 0.2A SOT23-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
Transistor Type NPN
Power - Max 225mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 300MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
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Otros incluyen   "MMBT4"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MMBT403LT1 ONSEMIC CIs Calientes Especializados 2990
MMBT404ALT1G ON CIs Calientes Especializados 6500
MMBT4123 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 30000
MMBT4124 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 20497
MMBT4124 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 20497
MMBT4124 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MMBT4124-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 33332
MMBT4124-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 24869
MMBT4124LT1 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MMBT4124LT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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