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MMBT2222LT1 Especificaciones técnicas

TRANS NPN 30V 0.6A SOT23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type NPN
Power - Max 300mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Packaging Cut Tape (CT)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
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MMBT2222LT1 Documentos

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Otros incluyen   "MMBT2"   partes

Las siguientes partes incluyen  'MMBT2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MMBT200 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 43709
MMBT200 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 5253
MMBT200 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MMBT200A Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3353
MMBT200A AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 33602
MMBT200A/MMBT200 Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 3236
MMBT200LT1 ON CIs Calientes Especializados 3500
MMBT2131T1 ON CIs Calientes Especializados 18475
MMBT2131T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3287
MMBT2131T1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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