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MJL21196G Especificaciones técnicas

TRANS NPN 250V 16A TO264

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 250V
Transistor Type NPN
Power - Max 200W
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 8A, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 16A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 4V @ 3.2A, 16A
Supplier Device Package TO-264
Packaging Tube
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 4MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJL21193 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 5252
MJL21193 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJL21193.G AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 14153
MJL21193/MJL21194 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 5367
MJL21193G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2722
MJL21193G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJL21193G/MJL21194G AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Especializados 5242
MJL21194 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 5207
MJL21194 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJL21194 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales

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