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MJF31CG Especificaciones técnicas

TRANS NPN 100V 3A TO-220FP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type NPN
Power - Max 2W
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A
Supplier Device Package TO-220FP
Packaging Tube
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 3MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 300µA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJF31C AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 17403
MJF31C ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJF31C Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MJF31CG ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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