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MJE803STU Especificaciones técnicas

TRANS NPN DARL 80V 4A TO126

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 40W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-126
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
Base Part Number MJE803
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.8V @ 40mA, 2A
Supplier Device Package TO-126
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 2A, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJE800 MOT CIs Calientes Especializados 2706
MJE800 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MJE8006 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 6
MJE800G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2094
MJE800G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJE800STU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2924
MJE800STU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 5316
MJE800STU ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJE801STU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2532
MJE801STU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2563

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